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SQA407CEJW-T1_GE3

SQA407CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqa407cejw.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details SQA407CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote SQA407CEJW-T1_GE3 nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.5 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQA407CEJW-T1_GE3 SQA407CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa407cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
24+0.88 EUR
100+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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SQA407CEJW-T1_GE3 SQA407CEJW-T1_GE3 Vishay Semiconductors sqa407cejw.pdf MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 3781 Stücke:
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3+1.15 EUR
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100+0.6 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.32 EUR
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SQA407CEJW-T1_GE3 SQA407CEJW-T1_GE3 VISHAY 3789920.pdf Description: VISHAY - SQA407CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.5 EUR
246+0.94 EUR
316+0.68 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.42 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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SQA407CEJW-T1_GE3 SQA407CEJW-T1_GE3 VISHAY 3789920.pdf Description: VISHAY - SQA407CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Dauer-Drainstrom Id: 9A
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.5 EUR
246+0.94 EUR
316+0.68 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.42 EUR
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SQA407CEJW-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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SQA407CEJW-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQA407CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQA407CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
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Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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167+1.5 EUR
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