SQA446CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 19+ | 0.95 EUR |
| 23+ | 0.79 EUR |
| 100+ | 0.52 EUR |
| 500+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.38 EUR |
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Technische Details SQA446CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQA446CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9 A, 0.0142 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 13.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0142ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQA446CEJW-T1_GE3 nach Preis ab 0.37 EUR bis 0.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SQA446CEJW-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C AEC-Q101 |
auf Bestellung 56918 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQA446CEJW-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQA446CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9 A, 0.0142 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 62895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQA446CEJW-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQA446CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9 A, 0.0142 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 13.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0142ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 62895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQA446CEJW-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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