SQA470EEJ-T1_GE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 0.64 EUR |
| 10+ | 0.44 EUR |
| 100+ | 0.39 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| 3000+ | 0.36 EUR |
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Technische Details SQA470EEJ-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.25A; 13.6W; PowerPAK® SC70, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Version: ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Gate charge: 4.1nC, On-state resistance: 56mΩ, Drain current: 2.25A, Power dissipation: 13.6W, Gate-source voltage: ±12V, Drain-source voltage: 30V, Case: PowerPAK® SC70.
Weitere Produktangebote SQA470EEJ-T1_GE3 nach Preis ab 0.82 EUR bis 1.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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SQA470EEJ-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70 |
auf Bestellung 127 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQA470EEJ-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70
Description: MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 1.27 EUR |
| 20+ | 1.11 EUR |
| 100+ | 0.82 EUR |