SQA602CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 25 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.26 EUR |
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Technische Details SQA602CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQA602CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80V, 5.63A, 94 mOhm, PowerPAK SC-70W, SMD, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SQA602CEJW-T1_GE3 nach Preis ab 0.2 EUR bis 0.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SQA602CEJW-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET , 94 mO 10V, 110 mO 4.5V |
auf Bestellung 6967 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQA602CEJW-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQA602CEJW-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQA602CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80V, 5.63A, 94 mOhm, PowerPAK SC-70W, SMD tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |