SQA700CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
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Technische Details SQA700CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQA700CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9 A, 0.056 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 13.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQA700CEJW-T1_GE3 nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SQA700CEJW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 37793 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQA700CEJW-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V |
auf Bestellung 11968 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQA700CEJW-T1_GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SQA700CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9 A, 0.056 ohm, PowerPAK SC-70W, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 26020 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQA700CEJW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQA700CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9 A, 0.056 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 13.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 31210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQA700CEJW-T1_GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 37793 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.17 EUR |
| 10+ | 0.88 EUR |
| 100+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
| 3000+ | 0.32 EUR |
| SQA700CEJW-T1_GE3 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 1.18 EUR |
| 21+ | 1 EUR |
| 100+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.58 EUR |
| 1000+ | 0.45 EUR |
| SQA700CEJW-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQA700CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9 A, 0.056 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQA700CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9 A, 0.056 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
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Kanaltyp: n-Kanal
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SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 26020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 178+ | 1.4 EUR |
| 244+ | 0.95 EUR |
| 353+ | 0.61 EUR |
| 500+ | 0.43 EUR |
| 1000+ | 0.38 EUR |
| 5000+ | 0.31 EUR |
| SQA700CEJW-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQA700CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9 A, 0.056 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 13.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQA700CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9 A, 0.056 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 31210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 147+ | 1.7 EUR |
| 220+ | 1.06 EUR |
| 325+ | 0.65 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
| 5000+ | 0.33 EUR |