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SQD40061EL_GE3

SQD40061EL_GE3 Vishay Siliconix

sqd40061el.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+1.26 EUR
4000+1.18 EUR
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Technische Details SQD40061EL_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SQD40061EL_GE3 nach Preis ab 0.92 EUR bis 5 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQD40061EL_GE3 SQD40061EL_GE3 Vishay sqd40061el.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.17 EUR
82+2.11 EUR
116+1.45 EUR
250+1.4 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
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SQD40061EL_GE3 SQD40061EL_GE3 Vishay sqd40061el.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SQD40061EL"GE3 SQD40061EL"GE3 VISHAY Description: VISHAY - SQD40061EL"GE3 - P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 59AC7609
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 107W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.98 EUR
99+2.37 EUR
127+1.69 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.3 EUR
2500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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SQD40061EL_GE3 SQD40061EL_GE3 Vishay sqd40061el.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.01 EUR
81+2.08 EUR
82+1.99 EUR
116+1.34 EUR
250+1.27 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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SQD40061EL_GE3 SQD40061EL_GE3 VISHAY VISH-S-A0004852706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.18 EUR
108+1.99 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SQD40061EL_GE3 SQD40061EL_GE3 Vishay / Siliconix sqd40061el.pdf MOSFETs -40V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 17036 Stücke:
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1+4.21 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.34 EUR
2000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40061EL_GE3 SQD40061EL_GE3 Vishay Siliconix sqd40061el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20622 Stücke:
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SQD40061EL_GE3 SQD40061EL_GE3 VISHAY VISH-S-A0004852706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2655 Stücke:
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50+5 EUR
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SQD40061EL_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
81+2.17 EUR
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116+1.45 EUR
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SQD40061EL_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
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SQD40061EL"GE3
SQD40061EL"GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQD40061EL"GE3 - P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 59AC7609
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Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 107W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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SQD40061EL_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 949 Stücke:
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58+3.01 EUR
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82+1.99 EUR
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SQD40061EL_GE3 VISH-S-A0004852706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQD40061EL_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.18 EUR
108+1.99 EUR
500+1.59 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SQD40061EL_GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs -40V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 17036 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+4.21 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.34 EUR
2000+1.24 EUR
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SQD40061EL_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.3 EUR
10+2.75 EUR
100+1.87 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40061EL_GE3 VISH-S-A0004852706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQD40061EL_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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50+5 EUR
73+3.18 EUR
108+1.99 EUR
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