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SQD40081EL_GE3 Transistor

Produktcode: 196931
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQD40081EL_GE3 SQD40081EL_GE3 Vishay doc75677.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
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SQD40081EL_GE3 SQD40081EL_GE3 VISHAY Description: VISHAY - SQD40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 71W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
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SQD40081EL_GE3 SQD40081EL_GE3 Vishay / Siliconix MOSFETs -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id
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SQD40081EL_GE3 SQD40081EL_GE3 VISHAY Description: VISHAY - SQD40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 71W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
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SQD40081EL_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
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SQD40081EL_GE3 doc75677.pdf
SQD40081EL_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
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AnzahlPrivatkunde
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SQD40081EL_GE3
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Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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SQD40081EL_GE3 doc75677.pdf
SQD40081EL_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
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SQD40081EL_GE3
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SQD40081EL_GE3 doc75677.pdf
SQD40081EL_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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SQD40081EL_GE3
SQD40081EL_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQD40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 71W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
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AnzahlPrivatkunde
100+2.88 EUR
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1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SQD40081EL_GE3
SQD40081EL_GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id
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1+3.69 EUR
10+2.37 EUR
100+1.58 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.15 EUR
2000+1.06 EUR
4000+1.04 EUR
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SQD40081EL_GE3
SQD40081EL_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQD40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 71W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 1182 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
51+4.93 EUR
81+2.88 EUR
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