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SQD40N06-14L_GE3

sqd40n06-14l.pdf
Produktcode: 204493
Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

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SQD40N06-14L_GE3 SQD40N06-14L_GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sqd40n06-14l.pdf MOSFETs 55V 40A 75W AEC-Q101 Qualified
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SQD40N06-14L_GE3 SQD40N06-14L_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqd40n06-14l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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SQD40N06-14L_GE3 SQD40N06-14L_GE3 Hersteller : Vishay sqd40n06-14l.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive
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SQD40N06-14L_GE3 SQD40N06-14L_GE3 Hersteller : Vishay sqd40n0614l.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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SQD40N06-14L_GE3 SQD40N06-14L_GE3 Hersteller : Vishay sqd40n0614l.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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SQD40N06-14L-GE3 SQD40N06-14L-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqd40n06-14l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO-252
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SQD40N06-14L_GE3 SQD40N06-14L_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqd40n06-14l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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SQD40N06-14L-GE3 SQD40N06-14L-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sqd40n06-14l.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD4
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