Produkte > Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld > SQD40P10-40L_GE3

SQD40P10-40L_GE3

sqd40p10-40l.pdf
Produktcode: 179445
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote SQD40P10-40L_GE3 nach Preis ab 1.42 EUR bis 8.12 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Vishay sqd40p1040l.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Vishay Siliconix sqd40p10-40l.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Vishay sqd40p1040l.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.48 EUR
75+2.27 EUR
76+2.17 EUR
100+1.89 EUR
250+1.78 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Vishay sqd40p1040l.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Vishay sqd40p1040l.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 3650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Vishay sqd40p1040l.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 3650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.12 EUR
61+2.78 EUR
100+2.4 EUR
250+2.24 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.7 EUR
2000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 VISHAY sqd40p10-40l.pdf Description: VISHAY - SQD40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 1135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.17 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Vishay / Siliconix sqd40p10-40l.pdf MOSFETs -100V -30A 136W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 20559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+4.16 EUR
100+2.98 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.45 EUR
2000+2.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Vishay Siliconix sqd40p10-40l.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.24 EUR
10+4.07 EUR
100+2.83 EUR
500+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 VISHAY sqd40p10-40l.pdf Description: VISHAY - SQD40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 1135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.12 EUR
48+4.91 EUR
100+3.17 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40P10-40L_GE3 sqd40p1040l.pdf
SQD40P10-40L_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40P10-40L_GE3 sqd40p10-40l.pdf
SQD40P10-40L_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40P10-40L_GE3 sqd40p1040l.pdf
SQD40P10-40L_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+2.48 EUR
75+2.27 EUR
76+2.17 EUR
100+1.89 EUR
250+1.78 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40P10-40L_GE3 sqd40p1040l.pdf
SQD40P10-40L_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40P10-40L_GE3 sqd40p1040l.pdf
SQD40P10-40L_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 3650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
58+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40P10-40L_GE3 sqd40p1040l.pdf
SQD40P10-40L_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 3650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
57+3.12 EUR
61+2.78 EUR
100+2.4 EUR
250+2.24 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.7 EUR
2000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40P10-40L_GE3 sqd40p10-40l.pdf
SQD40P10-40L_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQD40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 1135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.17 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40P10-40L_GE3 sqd40p10-40l.pdf
SQD40P10-40L_GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs -100V -30A 136W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 20559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.21 EUR
10+4.16 EUR
100+2.98 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.45 EUR
2000+2.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40P10-40L_GE3 sqd40p10-40l.pdf
SQD40P10-40L_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.24 EUR
10+4.07 EUR
100+2.83 EUR
500+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40P10-40L_GE3 sqd40p10-40l.pdf
SQD40P10-40L_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQD40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 1135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.12 EUR
48+4.91 EUR
100+3.17 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH