SQJ116EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.7 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
10-14 Tag (e)
Mindestmenge:
3000 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SQJ116EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 21A; Idm: 59A; 88W, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 59A, Power dissipation: 88W, Gate charge: 33nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 21A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Application: automotive industry, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: PowerPAK® SO8, On-state resistance: 23mΩ.
Weitere Produktangebote SQJ116EP-T1_GE3 nach Preis ab 0.69 EUR bis 2.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ116EP-T1_GE3 | Vishay |
 MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 3090 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
SQJ116EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| SQJ116EP-T1_GE3 |
|
Hersteller: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 3090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.64 EUR |
| 10+ | 1.25 EUR |
| 100+ | 1.11 EUR |
| 500+ | 0.87 EUR |
| 1000+ | 0.86 EUR |
| 3000+ | 0.69 EUR |
| SQJ116EP-T1_GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.7 EUR |
| 13+ | 1.71 EUR |
| 50+ | 1.27 EUR |
| 100+ | 1.13 EUR |
| 500+ | 0.88 EUR |