SQJ120ELP-T1_GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ120ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 206 A, 1740 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 206A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1740µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.39 EUR |
| 145+ | 1.48 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
| 1000+ | 1.07 EUR |
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Technische Details SQJ120ELP-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJ120ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 206 A, 1740 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 206A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 130W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1740µohm.
Weitere Produktangebote SQJ120ELP-T1_GE3 nach Preis ab 0.92 EUR bis 4.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SQJ120ELP-T1_GE3 | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 2920 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJ120ELP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ120ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 206 A, 1740 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 206A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 130W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1740µohm |
auf Bestellung 3050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ120ELP-T1_GE3 |
Hersteller: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 3.39 EUR |
| 10+ | 2.15 EUR |
| 100+ | 1.45 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 1.05 EUR |
| 3000+ | 0.92 EUR |
| SQJ120ELP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ120ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 206 A, 1740 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1740µohm
Description: VISHAY - SQJ120ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 206 A, 1740 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1740µohm
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 62+ | 4.05 EUR |
| 98+ | 2.39 EUR |
| 145+ | 1.48 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
| 1000+ | 1.07 EUR |