SQJ131ELP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.76 EUR |
| 10+ | 3.5 EUR |
| 100+ | 2.87 EUR |
| 500+ | 2.78 EUR |
| 1000+ | 2.23 EUR |
| 3000+ | 1.37 EUR |
| 9000+ | 1.32 EUR |
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Technische Details SQJ131ELP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -300A; 500W; PowerPAK® SO8, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -300A, Power dissipation: 500W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote SQJ131ELP-T1_GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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SQJ131ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQJ131ELP-T1_GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -300A; 500W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -300A Power dissipation: 500W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQJ131ELP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF
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Stück im Wert von UAH
| SQJ131ELP-T1_GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -300A; 500W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -300A
Power dissipation: 500W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -300A; 500W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -300A
Power dissipation: 500W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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