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SQJ147ELP-T1_GE3

SQJ147ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj147elp.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.79 EUR
6000+0.73 EUR
9000+0.7 EUR
15000+0.67 EUR
21000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details SQJ147ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJ147ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 183W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm.

Weitere Produktangebote SQJ147ELP-T1_GE3 nach Preis ab 0.71 EUR bis 3.34 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQJ147ELP-T1_GE3 SQJ147ELP-T1_GE3 Vishay sqj147elp.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.34 EUR
131+1.31 EUR
135+1.25 EUR
173+0.95 EUR
250+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
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SQJ147ELP-T1_GE3 SQJ147ELP-T1_GE3 Vishay sqj147elp.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.63 EUR
130+1.3 EUR
131+1.24 EUR
135+1.15 EUR
173+0.87 EUR
250+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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SQJ147ELP-T1"GE3 SQJ147ELP-T1"GE3 VISHAY Description: VISHAY - SQJ147ELP-T1"GE3 - P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 42AJ0842
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 183W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 4485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.73 EUR
179+1.3 EUR
210+1.02 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
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SQJ147ELP-T1_GE3 SQJ147ELP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqj147elp.pdf MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 91128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.93 EUR
10+1.86 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
3000+0.77 EUR
6000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ147ELP-T1_GE3 SQJ147ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj147elp.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 44563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
12+1.88 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SQJ147ELP-T1_GE3 SQJ147ELP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0011791489-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ147ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 183W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
auf Bestellung 2738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.2 EUR
122+1.92 EUR
182+1.18 EUR
500+0.96 EUR
1500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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SQJ147ELP-T1_GE3 SQJ147ELP-T1_GE3 VISHAY sqj147elp.pdf Description: VISHAY - SQJ147ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.34 EUR
118+1.98 EUR
177+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SQJ147ELP-T1_GE3 VISHAY sqj147elp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 40V; 90A; 183W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 183W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ147ELP-T1_GE3 sqj147elp.pdf
SQJ147ELP-T1_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
130+1.34 EUR
131+1.31 EUR
135+1.25 EUR
173+0.95 EUR
250+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
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SQJ147ELP-T1_GE3 sqj147elp.pdf
SQJ147ELP-T1_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
107+1.63 EUR
130+1.3 EUR
131+1.24 EUR
135+1.15 EUR
173+0.87 EUR
250+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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SQJ147ELP-T1"GE3
SQJ147ELP-T1"GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ147ELP-T1"GE3 - P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 42AJ0842
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 183W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 4485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
145+1.73 EUR
179+1.3 EUR
210+1.02 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
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SQJ147ELP-T1_GE3 sqj147elp.pdf
SQJ147ELP-T1_GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 91128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.93 EUR
10+1.86 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
3000+0.77 EUR
6000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ147ELP-T1_GE3 sqj147elp.pdf
SQJ147ELP-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 44563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3 EUR
12+1.88 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ147ELP-T1_GE3 VISH-S-A0011791489-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJ147ELP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ147ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 183W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
auf Bestellung 2738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
79+3.2 EUR
122+1.92 EUR
182+1.18 EUR
500+0.96 EUR
1500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ147ELP-T1_GE3 sqj147elp.pdf
SQJ147ELP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ147ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.34 EUR
118+1.98 EUR
177+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ147ELP-T1_GE3 sqj147elp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 40V; 90A; 183W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 183W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH