SQJ186ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2325 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 13+ | 1.44 EUR |
| 15+ | 1.18 EUR |
| 100+ | 0.92 EUR |
| 500+ | 0.78 EUR |
| 1000+ | 0.63 EUR |
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Technische Details SQJ186ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJ186ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 0.012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 135W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SQJ186ELP-T1_GE3 nach Preis ab 0.59 EUR bis 9.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SQJ186ELP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET Automotive N-Channel 80V D-S 175C MOSFET PowerPAK SO-8L BWL , 12.5 mO 10V |
auf Bestellung 5233 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJ186ELP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSF |
auf Bestellung 6050 Stücke: Lieferzeit 375-379 Tag (e) |
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SQJ186ELP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ186ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 0.012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 3390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ186ELP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ186ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 0.012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 3390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ186ELP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2325 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SQJ186ELP-T1/GE3 | Hersteller : Vishay | MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |