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SQJ211ELP-T1_GE3

SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay

sqj211elp.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqj211elp.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
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SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqj211elp.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqj211elp.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
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SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqj211elp.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
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113+1.19 EUR
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SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sqj211elp.pdf MOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
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SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqj211elp.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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10+2.03 EUR
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SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0011791499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0011791499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
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SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqj211elp.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R
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SQJ211ELP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sqj211elp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 100V; 33.6A; 68W; SO8; automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33.6A
Power dissipation: 68W
Case: SO8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 32.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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Anzahl Preis
3000+0.92 EUR
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SQJ211ELP-T1_GE3
Produktcode: 214086
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