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SQJ211ELP-T1_GE3

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay sqj211elp.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
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SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay sqj211elp.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
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SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj211elp.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.96 EUR
6000+0.9 EUR
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15000+0.86 EUR
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SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay sqj211elp.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.34 EUR
109+1.31 EUR
132+1.06 EUR
250+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 108
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SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay sqj211elp.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 490 Stücke:
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91+1.6 EUR
108+1.3 EUR
109+1.24 EUR
132+0.98 EUR
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SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj211elp.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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6+3.43 EUR
10+2.19 EUR
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500+1.18 EUR
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SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqj211elp.pdf MOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
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SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0011791499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1657 Stücke:
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SQJ211ELP-T1"GE3 SQJ211ELP-T1"GE3 VISHAY Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 33.6A, POWERPAK SO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2990 Stücke:
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SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0011791499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1657 Stücke:
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SQJ211ELP-T1_GE3 sqj211elp.pdf
SQJ211ELP-T1_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
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SQJ211ELP-T1_GE3 sqj211elp.pdf
SQJ211ELP-T1_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Anzahl Preis
3000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SQJ211ELP-T1_GE3 sqj211elp.pdf
SQJ211ELP-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.96 EUR
6000+0.9 EUR
9000+0.87 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
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SQJ211ELP-T1_GE3 sqj211elp.pdf
SQJ211ELP-T1_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 490 Stücke:
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Anzahl Preis
108+1.34 EUR
109+1.31 EUR
132+1.06 EUR
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SQJ211ELP-T1_GE3 sqj211elp.pdf
SQJ211ELP-T1_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
91+1.6 EUR
108+1.3 EUR
109+1.24 EUR
132+0.98 EUR
250+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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SQJ211ELP-T1_GE3 sqj211elp.pdf
SQJ211ELP-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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SQJ211ELP-T1_GE3 sqj211elp.pdf
SQJ211ELP-T1_GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
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SQJ211ELP-T1_GE3 VISH-S-A0011791499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJ211ELP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1657 Stücke:
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SQJ211ELP-T1"GE3
SQJ211ELP-T1"GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 33.6A, POWERPAK SO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
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SQJ211ELP-T1_GE3 VISH-S-A0011791499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJ211ELP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 250 V
Idd,A: 0,1 A
Rds(on), Ohm: 30 Ohm
JHGF: SMD
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ALT3232M-151-T001
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ES1A
Produktcode: 85022
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ES1A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
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