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SQJ402EP-T1_GE3

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Produktcode: 155826
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Transistoren > MOSFET N-CH

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SQJ402EP-T1_GE3 SQJ402EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqj402ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SQJ402EP-T1_GE3 SQJ402EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqj402ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SQJ402EP-T1_GE3 SQJ402EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqj402ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
101+1.43 EUR
106+1.32 EUR
250+1.22 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 101
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SQJ402EP-T1_GE3 SQJ402EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqj402ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SQJ402EP-T1_GE3 SQJ402EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sqj402ep.pdf MOSFETs 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 23618 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.5 EUR
10+1.88 EUR
100+1.53 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.16 EUR
3000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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SQJ402EP-T1_GE3 SQJ402EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqj402ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.73 EUR
10+2.39 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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SQJ402EP-T1_GE3 SQJ402EP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0019261064-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ402EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SQJ402EP-T1_GE3 SQJ402EP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sqj402ep.pdf Description: VISHAY - SQJ402EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SQJ402EP-T1_GE3 SQJ402EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqj402ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
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SQJ402EP-T1_GE3 SQJ402EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqj402ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
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SQJ402EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqj402ep.pdf MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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