SQJ409EP-T2_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details SQJ409EP-T2_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJ409EP-T2_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.007 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 68W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm.
Weitere Produktangebote SQJ409EP-T2_GE3 nach Preis ab 1.13 EUR bis 4.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SQJ409EP-T2_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ409EP-T2_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.007 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 1190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ409EP-T2_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 36626 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJ409EP-T2_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 36670 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJ409EP-T2_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ409EP-T2_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.007 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm |
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| SQJ409EP-T2_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ409EP-T2_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.007 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
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usEccn: EAR99
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.78 EUR |
| 124+ | 1.74 EUR |
| 500+ | 1.38 EUR |
| 1000+ | 1.26 EUR |
| SQJ409EP-T2_GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 36626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.92 EUR |
| 10+ | 1.92 EUR |
| 100+ | 1.69 EUR |
| 500+ | 1.34 EUR |
| 1000+ | 1.27 EUR |
| 3000+ | 1.13 EUR |
| SQJ409EP-T2_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
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Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
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Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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|---|---|
| 6+ | 4 EUR |
| 10+ | 2.55 EUR |
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| 100+ | 1.73 EUR |
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| SQJ409EP-T2_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ409EP-T2_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.007 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
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Produktpalette: TrenchFET Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
Description: VISHAY - SQJ409EP-T2_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.007 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 68W
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 54+ | 4.7 EUR |
| 84+ | 2.78 EUR |
| 124+ | 1.74 EUR |
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