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SQJ431EP-T1_GE3
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SQJ431EP-T1_GE3 VISHAY

sqj431ep.pdf Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -12A; Idm: -40A; 27W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Pulsed drain current: -40A
Drain current: -12A
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 527mΩ
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
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Anzahl Preis
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Technische Details SQJ431EP-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJ431EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 12 A, 0.213 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.213ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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SQJ431EP-T1_GE3
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 		SQJ431EP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sqj431ep.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -12A; Idm: -40A; 27W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Pulsed drain current: -40A
Drain current: -12A
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 527mΩ
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
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SQJ431EP-T1_GE3 SQJ431EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqj431ep.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
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SQJ431EP-T1_GE3 SQJ431EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqj431ep.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Mindestbestellmenge: 3000
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SQJ431EP-T1_GE3 SQJ431EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqj431ep.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
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3000+1.53 EUR
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SQJ431EP-T1_GE3 SQJ431EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqj431ep.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
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3000+1.86 EUR
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SQJ431EP-T1_GE3 SQJ431EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqj431ep.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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10+2.69 EUR
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SQJ431EP-T1_GE3 SQJ431EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sqj431ep.pdf MOSFETs -200v -12A 83W AEC-Q101 Qualified
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SQJ431EP-T1_GE3 SQJ431EP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sqj431ep.pdf Description: VISHAY - SQJ431EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 12 A, 0.213 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.213ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SQJ431EP-T1_GE3 SQJ431EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqj431ep.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
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SQJ431EP-T1_GE3 SQJ431EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqj431ep.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
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SQJ431EP-T1_GE3 SQJ431EP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sqj431ep.pdf Description: VISHAY - SQJ431EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 12 A, 0.213 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.213ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SQJ431EP-T1_GE3 SQJ431EP-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqj431ep.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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SQJ431EPT1-GE3
auf Bestellung 170 Stücke:
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