SQJ500AEP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.14 EUR |
| 10+ | 2.67 EUR |
| 100+ | 1.8 EUR |
| 500+ | 1.44 EUR |
| 1000+ | 1.32 EUR |
| 3000+ | 1.21 EUR |
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Technische Details SQJ500AEP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40V; 48W; PowerPAK® SO8, Type of transistor: N/P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Power dissipation: 48W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote SQJ500AEP-T1_GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| SQJ500AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
 MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8 Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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SQJ500AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SQJ500AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL |
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| SQJ500AEP-T1_GE3 | VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40V; 48W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 48W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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| SQJ500AEP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8 Транзистори
MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8 Транзистори
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| SQJ500AEP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
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| SQJ500AEP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
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| SQJ500AEP-T1_GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40V; 48W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40V; 48W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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