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SQJ868EP-T1_GE3

SQJ868EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

sqj868ep.pdf
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified
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Technische Details SQJ868EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 48W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQJ868EP-T1_GE3 SQJ868EP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0014527069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
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SQJ868EP-T1_GE3 SQJ868EP-T1_GE3 VISHAY sqj868ep.pdf Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
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SQJ868EP-T1_GE3 SQJ868EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj868ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL
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SQJ868EP-T1_GE3 VISH-S-A0014527069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJ868EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
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SQJ868EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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60+4.22 EUR
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Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL
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