SQJ992EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.76 EUR |
| 10+ | 2.12 EUR |
| 100+ | 1.5 EUR |
| 500+ | 1.19 EUR |
| 1000+ | 1.08 EUR |
| 3000+ | 1 EUR |
| 6000+ | 0.96 EUR |
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Technische Details SQJ992EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SQJ992EP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.047 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 15, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 34, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SQJ992EP-T1_GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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SQJ992EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SQJ992EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQJ992EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| SQJ992EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)