SQJA70EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 14.7A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details SQJA70EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJA70EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.7 A, 0.095 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Weitere Produktangebote SQJA70EP-T1_GE3 nach Preis ab 0.49 EUR bis 2.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SQJA70EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 63949 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJA70EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 14.7A PPAK SO-8 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 5726 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJA70EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJA70EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.7 A, 0.095 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQJA70EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
MOSFETs 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.97 EUR |
| 10+ | 1.24 EUR |
| 100+ | 0.81 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
| 1000+ | 0.57 EUR |
| 3000+ | 0.55 EUR |
| 6000+ | 0.49 EUR |
| SQJA70EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 14.7A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 100V 14.7A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 2.02 EUR |
| 14+ | 1.28 EUR |
| 100+ | 0.84 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| 1000+ | 0.59 EUR |
| SQJA70EP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA70EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.7 A, 0.095 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SQJA70EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.7 A, 0.095 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)