SQJA81EP-T1_GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA81EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 46 A, 0.0143 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0143ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0143ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.73 EUR |
| 500+ | 2.2 EUR |
| 1000+ | 2.03 EUR |
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Technische Details SQJA81EP-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJA81EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 46 A, 0.0143 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0143ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0143ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQJA81EP-T1_GE3 nach Preis ab 1.89 EUR bis 8.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SQJA81EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 139 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJA81EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJA81EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 46 A, 0.0143 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0143ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJA81EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 80V 46A PPAK SO-8 Транзистори |
auf Bestellung 785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJA81EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.87 EUR |
| 10+ | 3.8 EUR |
| 100+ | 2.64 EUR |
| 500+ | 2.15 EUR |
| 1000+ | 2 EUR |
| 3000+ | 1.89 EUR |
| SQJA81EP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA81EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 46 A, 0.0143 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0143ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQJA81EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 46 A, 0.0143 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0143ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 6.34 EUR |
| 57+ | 4.13 EUR |
| 100+ | 2.73 EUR |
| 500+ | 2.2 EUR |
| 1000+ | 2.03 EUR |
| SQJA81EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 46A PPAK SO-8 Транзистори
MOSFET P-CH 80V 46A PPAK SO-8 Транзистори
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.13 EUR |