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SQJB00EP-T1_BE3

SQJB00EP-T1_BE3 Vishay / Siliconix

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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
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Technische Details SQJB00EP-T1_BE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQJB00EP-T1_BE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0105 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0105ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQJB00EP-T1_BE3 SQJB00EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqjb00ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
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SQJB00EP-T1_BE3 SQJB00EP-T1_BE3 VISHAY sqjb00ep.pdf Description: VISHAY - SQJB00EP-T1_BE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0105 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
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Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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SQJB00EP-T1_BE3 SQJB00EP-T1_BE3 VISHAY sqjb00ep.pdf Description: VISHAY - SQJB00EP-T1_BE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0105 ohm
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJB00EP-T1_BE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0105 ohm
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJB00EP-T1_BE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0105 ohm
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