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SQJQ141EL-T1_GE3

SQJQ141EL-T1_GE3 VISHAY

sqjq141el.pdf
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ141EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 390 A, 2000 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.2 EUR
500+3.86 EUR
1000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details SQJQ141EL-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJQ141EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 390 A, 2000 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 390A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 600W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQJQ141EL-T1_GE3 SQJQ141EL-T1_GE3 Vishay sqjq141el.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 390A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK EP T/R
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.75 EUR
42+4.13 EUR
44+3.89 EUR
50+3.77 EUR
100+3.32 EUR
250+3.19 EUR
500+2.9 EUR
1000+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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SQJQ141EL-T1_GE3 SQJQ141EL-T1_GE3 Vishay sqjq141el.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 390A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK EP T/R
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.75 EUR
42+4.03 EUR
44+3.75 EUR
50+3.57 EUR
100+3.06 EUR
250+2.87 EUR
500+2.56 EUR
1000+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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SQJQ141EL-T1_GE3 SQJQ141EL-T1_GE3 Vishay Semiconductors sqjq141el.pdf MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 11108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.41 EUR
10+5.38 EUR
25+5.21 EUR
100+4.36 EUR
250+4.24 EUR
500+3.88 EUR
1000+3.31 EUR
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SQJQ141EL-T1"GE3 SQJQ141EL-T1"GE3 VISHAY Description: VISHAY - SQJQ141EL-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 390A, POWERPAK
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 600W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 1245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8.02 EUR
36+6.62 EUR
38+5.65 EUR
50+5.19 EUR
100+4.58 EUR
500+4.18 EUR
1000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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SQJQ141EL-T1_GE3 SQJQ141EL-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq141el.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62190 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.79 EUR
10+5.81 EUR
100+4.11 EUR
500+3.38 EUR
1000+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SQJQ141EL-T1_GE3 SQJQ141EL-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0012815735-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJQ141EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 390 A, 2000 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 2442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.29 EUR
37+6.31 EUR
100+4.12 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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SQJQ141EL-T1_GE3 sqjq141el.pdf
SQJQ141EL-T1_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 390A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK EP T/R
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+4.75 EUR
42+4.13 EUR
44+3.89 EUR
50+3.77 EUR
100+3.32 EUR
250+3.19 EUR
500+2.9 EUR
1000+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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SQJQ141EL-T1_GE3 sqjq141el.pdf
SQJQ141EL-T1_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 390A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK EP T/R
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+4.75 EUR
42+4.03 EUR
44+3.75 EUR
50+3.57 EUR
100+3.06 EUR
250+2.87 EUR
500+2.56 EUR
1000+2.18 EUR
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SQJQ141EL-T1_GE3 sqjq141el.pdf
SQJQ141EL-T1_GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 11108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.41 EUR
10+5.38 EUR
25+5.21 EUR
100+4.36 EUR
250+4.24 EUR
500+3.88 EUR
1000+3.31 EUR
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SQJQ141EL-T1"GE3
SQJQ141EL-T1"GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ141EL-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 390A, POWERPAK
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 600W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 1245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+8.02 EUR
36+6.62 EUR
38+5.65 EUR
50+5.19 EUR
100+4.58 EUR
500+4.18 EUR
1000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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SQJQ141EL-T1_GE3 sqjq141el.pdf
SQJQ141EL-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62190 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.79 EUR
10+5.81 EUR
100+4.11 EUR
500+3.38 EUR
1000+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ141EL-T1_GE3 VISH-S-A0012815735-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJQ141EL-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ141EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 390 A, 2000 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 2442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+10.29 EUR
37+6.31 EUR
100+4.12 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH