SQJQ148E-T2_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJQ148E-T2_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 1600 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 375A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 325W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm.