SQJQ160ER-T1_GE3 Vishay Siliconix
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Technische Details SQJQ160ER-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJQ160ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 0.0008 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 363A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm.
Weitere Produktangebote SQJQ160ER-T1_GE3 nach Preis ab 3.09 EUR bis 9.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SQJQ160ER-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 5217 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJQ160ER-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ160ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 0.0008 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 363A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJQ160ER-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ160ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 0.0008 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| SQJQ160ER-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 2846 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQJQ160ER-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 5217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 8.48 EUR |
| 10+ | 5.59 EUR |
| 50+ | 4.34 EUR |
| 100+ | 3.94 EUR |
| 500+ | 3.36 EUR |
| SQJQ160ER-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ160ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 0.0008 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 363A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm
Description: VISHAY - SQJQ160ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 0.0008 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 363A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 26+ | 9.79 EUR |
| 47+ | 5.01 EUR |
| SQJQ160ER-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ160ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 0.0008 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - SQJQ160ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 0.0008 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
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productTraceability: No
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euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SQJQ160ER-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.21 EUR |
| 10+ | 4.21 EUR |
| 100+ | 3.83 EUR |
| 500+ | 3.27 EUR |
| 2000+ | 3.09 EUR |