SQJQ510E-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJQ510E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 286 A, 1860 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 286A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 348W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).