SQJQ510E-T1_GE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.99 EUR |
| 10+ | 4.63 EUR |
| 100+ | 3.29 EUR |
| 500+ | 3.06 EUR |
| 2000+ | 2.85 EUR |
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Technische Details SQJQ510E-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SQJQ510E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 286 A, 1860 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 286A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 348W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm.
Weitere Produktangebote SQJQ510E-T1_GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SQJQ510E-T1_GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SQJQ510E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 286 A, 1860 µohm, PowerPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 286A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 348W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm |
auf Bestellung 1233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SQJQ510E-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ510E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 286 A, 1860 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 286A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 348W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm |
auf Bestellung 1233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQJQ510E-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ510E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 286 A, 1860 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm
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| SQJQ510E-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
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auf Bestellung 1233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)