Produkte > VISHAY / SILICONIX > SQJQ510E-T1_GE3
SQJQ510E-T1_GE3

SQJQ510E-T1_GE3 Vishay / Siliconix


Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 1630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.99 EUR
10+4.63 EUR
100+3.29 EUR
500+3.06 EUR
2000+2.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SQJQ510E-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQJQ510E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 286 A, 1860 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 286A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 348W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote SQJQ510E-T1_GE3

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SQJQ510E-T1_GE3 SQJQ510E-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 4425875.pdf Description: VISHAY - SQJQ510E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 286 A, 1860 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 286A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ510E-T1_GE3 SQJQ510E-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 4425875.pdf Description: VISHAY - SQJQ510E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 286 A, 1860 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 286A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH