Produkte > VISHAY SILICONIX > SQJQ906EL-T1_GE3

SQJQ906EL-T1_GE3 Vishay Siliconix

Name: SQJQ906EL-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 20623604-3
Price: 4280.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3238pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 187W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
2000+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Technische Details SQJQ906EL-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJQ906EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 160 A, 160 A, 3600 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3600µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 187W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3600µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 187W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Weitere Produktangebote SQJQ906EL-T1_GE3 nach Preis ab 2.23 EUR bis 7.75 EUR

Foto

Bezeichnung

Hersteller

Beschreibung

Verfügbarkeit

Privatkunde

SQJQ906EL-T1_GE3

VISHAY

VISH-S-A0002472549-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SQJQ906EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 160 A, 160 A, 3600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 187W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 187W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 1117 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.56 EUR
500+	3.05 EUR
1000+	2.84 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJQ906EL-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3238pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 187W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.57 EUR
10+	5 EUR
100+	4.02 EUR
500+	3.3 EUR
1000+	2.74 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJQ906EL-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 3422 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.65 EUR
10+	4.32 EUR
100+	3.03 EUR
500+	2.59 EUR
1000+	2.45 EUR
2000+	2.31 EUR
4000+	2.23 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJQ906EL-T1_GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SQJQ906EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 160 A, 160 A, 3600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 187W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 187W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 1117 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	7.75 EUR
47+	4.99 EUR
100+	3.56 EUR
500+	3.05 EUR
1000+	2.84 EUR

Mindestbestellmenge: 33 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJQ906EL-T1_GE3

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ906EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 160 A, 160 A, 3600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 187W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 187W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 1117 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
100+	3.56 EUR
500+	3.05 EUR
1000+	2.84 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJQ906EL-T1_GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3238pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 187W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
4+	5.57 EUR
10+	5 EUR
100+	4.02 EUR
500+	3.3 EUR
1000+	2.74 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJQ906EL-T1_GE3

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 3422 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
1+	5.65 EUR
10+	4.32 EUR
100+	3.03 EUR
500+	2.59 EUR
1000+	2.45 EUR
2000+	2.31 EUR
4000+	2.23 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SQJQ906EL-T1_GE3

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ906EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 160 A, 160 A, 3600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 187W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 187W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 1117 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
33+	7.75 EUR
47+	4.99 EUR
100+	3.56 EUR
500+	3.05 EUR
1000+	2.84 EUR

Mindestbestellmenge: 33 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH