SQJQ906EL-T1_GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ906EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 160 A, 160 A, 3600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 187W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 187W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.67 EUR |
| 500+ | 3.13 EUR |
| 1000+ | 2.94 EUR |
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Technische Details SQJQ906EL-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ906EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 160 A, 160 A, 3600 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3600µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 187W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3600µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 187W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote SQJQ906EL-T1_GE3 nach Preis ab 2.26 EUR bis 7.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SQJQ906EL-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 1764 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJQ906EL-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 160A PPAK8X8 Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3238pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 187W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 1510 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJQ906EL-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ906EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 160 A, 160 A, 3600 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3600µohm Verlustleistung, p-Kanal: 187W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3600µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 187W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 1117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJQ906EL-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified
MOSFETs 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 1764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.5 EUR |
| 10+ | 3.27 EUR |
| 100+ | 2.95 EUR |
| 500+ | 2.39 EUR |
| 2000+ | 2.26 EUR |
| SQJQ906EL-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 160A PPAK8X8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3238pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 187W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 40V 160A PPAK8X8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3238pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 187W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.59 EUR |
| 10+ | 4.31 EUR |
| 50+ | 3.31 EUR |
| 100+ | 2.99 EUR |
| 500+ | 2.43 EUR |
| SQJQ906EL-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ906EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 160 A, 160 A, 3600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 187W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 187W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: VISHAY - SQJQ906EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 160 A, 160 A, 3600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 187W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 187W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 32+ | 7.97 EUR |
| 46+ | 5.13 EUR |
| 100+ | 3.67 EUR |
| 500+ | 3.13 EUR |
| 1000+ | 2.94 EUR |