| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.12 EUR |
| 10+ | 4.66 EUR |
| 100+ | 3.27 EUR |
| 500+ | 2.68 EUR |
| 2000+ | 2.51 EUR |
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Technische Details SQJQ936E-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQJQ936E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2300µohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 75W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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SQJQ936E-T1_GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SQJQ936E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2300µohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 75W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQJQ936E-T1_GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ936E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 50 Stücke:
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