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SQJQ960EL-T1_GE3

SQJQ960EL-T1_GE3 Vishay Siliconix


sqjq960el.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 71W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+1.61 EUR
4000+1.60 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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Technische Details SQJQ960EL-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJQ960EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 63 A, 63 A, 0.007 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 63A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 71W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 71W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SQJQ960EL-T1_GE3 SQJQ960EL-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqjq960el.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 71W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.12 EUR
10+3.30 EUR
100+2.31 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.73 EUR
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SQJQ960EL-T1_GE3 SQJQ960EL-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sqjq960el.pdf Description: VISHAY - SQJQ960EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 63 A, 63 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 63A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 71W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 71W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2942 Stücke:
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SQJQ960EL-T1_GE3 SQJQ960EL-T1_GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sqjq960el-1110882.pdf MOSFET 60V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
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SQJQ960EL-T1_GE3 SQJQ960EL-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 3006511.pdf Description: VISHAY - SQJQ960EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 63 A, 63 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 63A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 71W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 71W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3038 Stücke:
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SQJQ960EL-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqjq960el.pdf Транз. Пол. ММ 2N MOSFET PowerPAK-8x8-4 Udss=60V; Id=63A; Pdmax=71W; Rds=0,009 Ohm
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1+17.60 EUR
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SQJQ960EL-T1_GE3 SQJQ960EL-T1_GE3 Hersteller : Vishay sqjq960el.pdf DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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SQJQ960EL-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sqjq960el.pdf SQJQ960EL-T1-GE3 Multi channel transistors
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