SQM120P06-07L_GE3 Vishay
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Technische Details SQM120P06-07L_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQM120P06-07L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 A, 6700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SQM120P06-07L_GE3 nach Preis ab 2.71 EUR bis 11.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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SQM120P06-07L_GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 14400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQM120P06-07L_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQM120P06-07L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 6357 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQM120P06-07L_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQM120P06-07L"GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQM120P06-07L"GE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 120A, TO-263 tariffCode: 0 Transistormontage: Surface Mount euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 375W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: P Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 3571 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQM120P06-07L_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 120A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14280 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 386 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQM120P06-07L_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 60 V 120A 375 W AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQM120P06-07L_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQM120P06-07L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 A, 6700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQM120P06-07L_GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 2.71 EUR |
| SQM120P06-07L_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM120P06-07L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SQM120P06-07L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.52 EUR |
| 500+ | 3.67 EUR |
| 1000+ | 3.4 EUR |
| SQM120P06-07L_GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 5.18 EUR |
| SQM120P06-07L"GE3 |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM120P06-07L"GE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 120A, TO-263
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - SQM120P06-07L"GE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 120A, TO-263
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 3571 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 8.52 EUR |
| 34+ | 7.03 EUR |
| 36+ | 5.97 EUR |
| 50+ | 5.55 EUR |
| 100+ | 4.9 EUR |
| 500+ | 4.45 EUR |
| 1000+ | 3.81 EUR |
| 2500+ | 3.53 EUR |
| SQM120P06-07L_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 60V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 9.34 EUR |
| 10+ | 6.18 EUR |
| 50+ | 4.82 EUR |
| 100+ | 4.13 EUR |
| SQM120P06-07L_GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 60 V 120A 375 W AEC-Q101 Qualified
MOSFETs 60 V 120A 375 W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.38 EUR |
| 10+ | 4.84 EUR |
| 100+ | 4.16 EUR |
| 500+ | 3.45 EUR |
| 800+ | 3.42 EUR |
| SQM120P06-07L_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM120P06-07L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 A, 6700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SQM120P06-07L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 A, 6700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 11.11 EUR |
| 35+ | 6.74 EUR |
| 100+ | 4.87 EUR |
| 500+ | 4.09 EUR |
| 1000+ | 3.8 EUR |