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SQM120P06-07L_GE3

SQM120P06-07L_GE3 Vishay

sqm120p06-07l.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Automotive AEC-Q101
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Technische Details SQM120P06-07L_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQM120P06-07L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqm120p06-07l.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3200 Stücke:
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Anzahl Preis
800+2.70 EUR
1600+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 Hersteller : VISHAY sqm120p06-07l.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -120A; Idm: -480A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -480A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.35 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
500+2.50 EUR
800+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 Hersteller : VISHAY sqm120p06-07l.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -120A; Idm: -480A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -480A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.35 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
500+2.50 EUR
800+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 Hersteller : Vishay sqm120p06-07l.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 Hersteller : Vishay sqm120p06-07l.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 16800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+5.74 EUR
40+3.60 EUR
100+2.33 EUR
800+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 Hersteller : Vishay sqm120p06-07l.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 16800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+5.74 EUR
40+3.60 EUR
100+2.33 EUR
800+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqm120p06-07l.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14280 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.46 EUR
10+4.92 EUR
100+3.50 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sqm120p06-07l.pdf MOSFETs 60 V 120A 375 W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 54797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.49 EUR
10+4.91 EUR
25+4.65 EUR
100+3.61 EUR
500+2.85 EUR
800+2.83 EUR
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SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 Hersteller : VISHAY sqm120p06-07l.pdf Description: VISHAY - SQM120P06-07L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 Hersteller : VISHAY sqm120p06-07l.pdf Description: VISHAY - SQM120P06-07L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 6991 Stücke:
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SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 Hersteller : Vishay sqm120p06-07l.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SQM120P06-07L-GE3 SQM120P06-07L-GE3 Hersteller : Vishay sqm120p06-07l.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 Hersteller : Vishay sqm120p06-07l.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Automotive AEC-Q101
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SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 Hersteller : Vishay sqm120p06-07l.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Automotive AEC-Q101
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SQM120P06-07L-GE3 SQM120P06-07L-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix MOSFETs RECOMMENDED ALT SQM1
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