SQM120P10_10M1LGE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM120P10_10M1LGE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0101 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.88 EUR |
| 500+ | 4.63 EUR |
| 1000+ | 3.7 EUR |
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Technische Details SQM120P10_10M1LGE3 VISHAY
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote SQM120P10_10M1LGE3 nach Preis ab 3.56 EUR bis 11.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SQM120P10_10M1LGE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs P Ch -100Vds 20Vgs |
auf Bestellung 36649 Stücke: Lieferzeit 125-129 Tag (e) |
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SQM120P10_10M1LGE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQM120P10_10M1LGE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0101 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 11697 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQM120P10"10M1LGE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQM120P10"10M1LGE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 120A, TO-263 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 375W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: P Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQM120P10_10M1LGE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs P Ch -100Vds 20Vgs
MOSFETs P Ch -100Vds 20Vgs
auf Bestellung 36649 Stücke:
Lieferzeit 125-129 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.85 EUR |
| 10+ | 4.77 EUR |
| 100+ | 4.32 EUR |
| 500+ | 3.56 EUR |
| SQM120P10_10M1LGE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM120P10_10M1LGE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0101 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
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Produktpalette: TrenchFET
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SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SQM120P10_10M1LGE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0101 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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auf Bestellung 11697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 11.65 EUR |
| 32+ | 7.33 EUR |
| 100+ | 4.88 EUR |
| 500+ | 4.63 EUR |
| 1000+ | 3.7 EUR |
| SQM120P10"10M1LGE3 |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM120P10"10M1LGE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 120A, TO-263
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directShipCharge: 25
Description: VISHAY - SQM120P10"10M1LGE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 120A, TO-263
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auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 11.9 EUR |