SQM40014EM_GE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.11 EUR |
| 10+ | 4.01 EUR |
| 100+ | 2.96 EUR |
| 500+ | 2.66 EUR |
| 800+ | 2.25 EUR |
| 2400+ | 2.15 EUR |
| 5600+ | 2.11 EUR |
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Technische Details SQM40014EM_GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SQM40014EM_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SQM40014EM_GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SQM40014EM_GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SQM40014EM_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SQM40014EM_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQM40014EM_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQM40014EM_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40014EM_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SQM40014EM_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SQM40014EM_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40014EM_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SQM40014EM_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH