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SQM50P08-25L_GE3

SQM50P08-25L_GE3 Vishay Siliconix

sqm50p08.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 80V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.95 EUR
1600+1.82 EUR
2400+1.77 EUR
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Technische Details SQM50P08-25L_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CHANNEL 80V 50A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote SQM50P08-25L_GE3 nach Preis ab 1.83 EUR bis 5.60 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SQM50P08-25L_GE3 SQM50P08-25L_GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sqm50p08.pdf MOSFETs P-Channel 80V AEC-Q101 Qualified
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SQM50P08-25L_GE3 SQM50P08-25L_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqm50p08.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 80V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.60 EUR
10+3.65 EUR
100+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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SQM50P08-25L_GE3 SQM50P08-25L_GE3 Hersteller : VISHAY sqm50p08.pdf Description: VISHAY - SQM50P08-25L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SQM50P08-25L_GE3 SQM50P08-25L_GE3 Hersteller : VISHAY sqm50p08.pdf Description: VISHAY - SQM50P08-25L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SQM50P08-25L_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqm50p08.pdf MOSFET P-CHANNEL 80V 50A TO263
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SQM50P08-25L_GE3 SQM50P08-25L_GE3 Hersteller : Vishay sqm50p08.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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SQM50P08-25L_GE3 SQM50P08-25L_GE3 Hersteller : Vishay doc67064.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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SQM50P08-25L-GE3 SQM50P08-25L-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix MOSFETs RECOMMENDED ALT SQM5
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