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SQP10250E_GE3

SQP10250E_GE3 VISHAY

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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQP10250E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 53 A, 0.0244 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 53
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0244
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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Technische Details SQP10250E_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQP10250E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 53 A, 0.0244 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250, Dauer-Drainstrom Id: 53, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, Verlustleistung Pd: 250, Bauform - Transistor: TO-220AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: TrenchFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0244, Betriebstemperatur, max.: 175, Schwellenspannung Vgs: 3, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQP10250E_GE3 SQP10250E_GE3 Vishay sqp10250e.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SQP10250E_GE3 SQP10250E_GE3 Vishay / Siliconix sqp10250e-1766404.pdf MOSFET 250V Vds 20V Vgs TO-220AB
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SQP10250E_GE3 SQP10250E_GE3 Vishay Siliconix sqp10250e.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 53A TO220AB
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 250V Vds 20V Vgs TO-220AB
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1+5.84 EUR
10+5.26 EUR
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2500+2.93 EUR
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SQP10250E_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
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