Technische Details SQS136ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQS136ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 40W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm.
Weitere Produktangebote SQS136ENW-T1_GE3 nach Preis ab 0.46 EUR bis 2.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SQS136ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQS136ENW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQS136ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 40W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SQS136ENW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQS136ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SQS136ENW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 2925 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQS136ENW-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 2.07 EUR |
| 17+ | 1.3 EUR |
| 100+ | 0.86 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |
| SQS136ENW-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQS136ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
Description: VISHAY - SQS136ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SQS136ENW-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQS136ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - SQS136ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
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productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SQS136ENW-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.03 EUR |
| 10+ | 1.27 EUR |
| 100+ | 0.83 EUR |
| 500+ | 0.64 EUR |
| 1000+ | 0.58 EUR |
| 3000+ | 0.51 EUR |
| 6000+ | 0.46 EUR |