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SQS178ELNW-T1_GE3

SQS178ELNW-T1_GE3 Vishay


Hersteller: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET
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Technische Details SQS178ELNW-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQS178ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 54 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 72V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 65W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQS178ELNW-T1_GE3 SQS178ELNW-T1_GE3 Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET
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SQS178ELNW-T1_GE3 SQS178ELNW-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0018268323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQS178ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 54 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
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SQS178ELNW-T1_GE3 SQS178ELNW-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0018268323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQS178ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 54 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
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SQS178ELNW-T1_GE3
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SQS178ELNW-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQS178ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 54 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SQS178ELNW-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQS178ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 54 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
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