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SQS965ELNW-T1_GE3 Vishay


Hersteller: Vishay
MOSFETs DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
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Technische Details SQS965ELNW-T1_GE3 Vishay

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; PowerPAK® 1212-8, Type of transistor: P-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQS965ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix Description: DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SQS965ELNW-T1_GE3 VISHAY Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; PowerPAK® 1212-8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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SQS965ELNW-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SQS965ELNW-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; PowerPAK® 1212-8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
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