SQUN702E-T1_GE3 Vishay Semiconductors
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.83 EUR |
| 10+ | 5.71 EUR |
| 25+ | 5.4 EUR |
| 100+ | 4.63 EUR |
| 250+ | 4.38 EUR |
| 500+ | 4.11 EUR |
| 1000+ | 3.52 EUR |
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Technische Details SQUN702E-T1_GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SQUN702E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.0077 ohm, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, Dauer-Drainstrom Id: 30, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 60, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, Bauform - Transistor: -, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 10, Produktpalette: TrenchFET, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SQUN702E-T1_GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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SQUN702E-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SQUN702E-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SQUN702E-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQUN702E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.0077 ohm, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 30 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 60 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Bauform - Transistor: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 10 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SQUN702E-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQUN702E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.0077 ohm, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 30 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 60 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Bauform - Transistor: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 10 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQUN702E-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN
Description: MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SQUN702E-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN
Description: MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN
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| SQUN702E-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQUN702E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.0077 ohm, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 30
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Bauform - Transistor: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: VISHAY - SQUN702E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.0077 ohm, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 30
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Bauform - Transistor: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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| SQUN702E-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQUN702E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.0077 ohm, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 30
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Bauform - Transistor: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: VISHAY - SQUN702E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.0077 ohm, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 30
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Bauform - Transistor: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
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