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SQW44N65EF-GE3

SQW44N65EF-GE3 Vishay Siliconix

sqw44n65ef.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5858 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 335 Stücke:
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AnzahlPreis
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Technische Details SQW44N65EF-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQW44N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.073 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247AD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SQW44N65EF-GE3 nach Preis ab 6.74 EUR bis 14.12 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
SQW44N65EF-GE3 SQW44N65EF-GE3 Vishay / Siliconix sqw44n65ef.pdf MOSFETs TO247 N CHAN 700V 47A
auf Bestellung 3439 Stücke:
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SQW44N65EF-GE3 SQW44N65EF-GE3 VISHAY sqw44n65ef.pdf Description: VISHAY - SQW44N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.073 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 315 Stücke:
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SQW44N65EF-GE3
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MOSFETs TO247 N CHAN 700V 47A
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SQW44N65EF-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQW44N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.073 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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