SQW44N65EF-GE3 Vishay
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details SQW44N65EF-GE3 Vishay
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AD, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5858 pF @ 100 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote SQW44N65EF-GE3 nach Preis ab 8.59 EUR bis 12.74 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SQW44N65EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 650V 47A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Bulk |
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SQW44N65EF-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5858 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQW44N65EF-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO247 N CHAN 700V 47A |
auf Bestellung 3905 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQW44N65EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQW44N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.063 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247AD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQW44N65EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 47A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Bulk |
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