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SS120

SS120 Taiwan Semiconductor

SS120_C2305.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1A, 200V, Schottky Rectifier
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Technische Details SS120 Taiwan Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 200V 1A DO214AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Current - Average Rectified (Io): 1A, Capacitance @ Vr, F: 31pF @ 4V, 1MHz, Technology: Schottky, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AC, SMA, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SS120 SS120 Hersteller : Taiwan Semiconductor ss120_c2305.pdf Diode Schottky 200V 1A 2-Pin SMA T/R
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SS120 SS120 Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation SS120_C2305.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 31pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SS120 SS120 Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation SS120_C2305.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 31pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
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