Technische Details SS12LS RVG Taiwan Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123HE, Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 20 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C, Supplier Device Package: SOD-123HE, Current - Average Rectified (Io): 1A, Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOD-123H, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote SS12LS RVG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SS12LS RVG | Taiwan Semiconductor |
Diode Schottky 20V 1A 2-Pin SOD-123HE T/R |
auf Bestellung 5435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SS12LS RVG |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor
Diode Schottky 20V 1A 2-Pin SOD-123HE T/R
Diode Schottky 20V 1A 2-Pin SOD-123HE T/R
auf Bestellung 5435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH


