Technische Details SS29-E3/5BT Vishay Semiconductor Diodes Division
Category: SMD Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; DO214AA,SMB; SMD; 90V; 1.5A, Type of diode: Schottky rectifying, Case: DO214AA; SMB, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 90V, Load current: 1.5A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward voltage: 0.75V, Max. forward impulse current: 75A, Leakage current: 30µA.
Weitere Produktangebote SS29-E3/5BT
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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SS29-E3/5BT | Vishay Semiconductors |
 Schottky Diodes & Rectifiers 90 Volt 1.5 Amp 75 Amp IFSM |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SS29-E3/5BT | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DO214AA,SMB; SMD; 90V; 1.5A Type of diode: Schottky rectifying Case: DO214AA; SMB Mounting: SMD Max. off-state voltage: 90V Load current: 1.5A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.75V Max. forward impulse current: 75A Leakage current: 30µA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SS29-E3/5BT |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
Schottky Diodes & Rectifiers 90 Volt 1.5 Amp 75 Amp IFSM
Schottky Diodes & Rectifiers 90 Volt 1.5 Amp 75 Amp IFSM
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SS29-E3/5BT |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214AA,SMB; SMD; 90V; 1.5A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 90V
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 30µA
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214AA,SMB; SMD; 90V; 1.5A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 90V
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 30µA
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