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SS2FL4-M3/H

SS2FL4-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division

ss2fl4.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 40 V
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Technische Details SS2FL4-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 40 V.

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SS2FL4-M3/H SS2FL4-M3/H Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss2fl4.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 40 V
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SS2FL4-M3/H SS2FL4-M3/H Hersteller : Vishay General Semiconductor ss2fl4.pdf Schottky Diodes & Rectifiers If(AV) 2A Vrrm 40V Ifsm 50A DO-219AB
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SS2FL4-M3/H Hersteller : VISHAY ss2fl4.pdf SS2FL4-M3/H SMD Schottky diodes
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