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SS3H10-M3/9AT

SS3H10-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division

ss3h9-m3.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 100 V
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Technische Details SS3H10-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AB, SMC, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 100 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SS3H10-M3/9AT SS3H10-M3/9AT Hersteller : Vishay General Semiconductor ss3h9-m3.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 3A, 100V HIGH BARRIER SKY RECT
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SS3H10-M3/9AT SS3H10-M3/9AT Hersteller : Vishay ss3h9-m3.pdf Diode Schottky 100V 3A 2-Pin SMC T/R
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SS3H10-M3/9AT Hersteller : VISHAY ss3h9-m3.pdf SS3H10-M3/9AT SMD Schottky diodes
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SS3H10-M3/9AT SS3H10-M3/9AT Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss3h9-m3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 100 V
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