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Technische Details SS9013GTA FAIRCHILD
Description: TRANS NPN 20V 0.5A TO-92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 112 @ 50mA, 1V, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 625 mW.
Weitere Produktangebote SS9013GTA
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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SS9013GTA | onsemi |
 Description: TRANS NPN 20V 0.5A TO-92-3Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 112 @ 50mA, 1V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 625 mW |
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SS9013GTA | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Silicon |
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| SS9013GTA | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
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| SS9013GTA |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 112 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 20V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 112 @ 50mA, 1V
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Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
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| SS9013GTA |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Silicon
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| SS9013GTA |
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Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT
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