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Technische Details SSM3J130TU,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM3J130TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.0258 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-323F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSVI Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SSM3J130TU,LF(T nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.01 EUR
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SSM3J130TU,LF(T | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET P-CH Si 20V 4.4A 3-Pin UFM T/R |
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SSM3J130TU,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 4.4A 3-Pin UFM T/R |
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SSM3J130TU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J130TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.0258 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-323F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm SVHC: To Be Advised |
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SSM3J130TU,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 4.4A 3-Pin UFM T/R |
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