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Technische Details SSM3J133TU,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM3J133TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.0298 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-323F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSVI Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SSM3J133TU,LF(T nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SSM3J133TU,LF(T | Toshiba |
 Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R |
auf Bestellung 1924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3J133TU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J133TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.0298 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3J133TU,LF(T | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R |
auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 87 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SSM3J133TU,LF(T |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 1924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 276+ | 0.64 EUR |
| SSM3J133TU,LF(T |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J133TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.0298 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM3J133TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.0298 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 223+ | 1.12 EUR |
| 309+ | 0.75 EUR |
| 472+ | 0.45 EUR |
| 633+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| SSM3J133TU,LF(T |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)