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Technische Details SSM3J352F,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM3J352F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: SOT-346, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSVI Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SSM3J352F,LF(T nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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SSM3J352F,LF(T | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET P-CH Si 20V 2A 3-Pin S-Mini T/R |
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SSM3J352F,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J352F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: To Be Advised |
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SSM3J352F,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2A 3-Pin S-Mini T/R |
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