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Technische Details SSM3J352F,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM3J352F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 600mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-346, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSVI Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm.
Weitere Produktangebote SSM3J352F,LF(T nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SSM3J352F,LF(T | Toshiba |
 Trans MOSFET P-CH Si 20V 2A 3-Pin S-Mini T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3J352F,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J352F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 600mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm |
auf Bestellung 2790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3J352F,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J352F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 600mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm |
auf Bestellung 2790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3J352F,LF(T |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2A 3-Pin S-Mini T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2A 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.15 EUR |
| SSM3J352F,LF(T |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J352F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Dauer-Drainstrom Id: 2A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 600mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
Description: TOSHIBA - SSM3J352F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
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euEccn: NLR
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 297+ | 0.84 EUR |
| 481+ | 0.49 EUR |
| 764+ | 0.29 EUR |
| 1113+ | 0.19 EUR |
| 1257+ | 0.17 EUR |
| SSM3J352F,LF(T |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J352F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
Description: TOSHIBA - SSM3J352F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Produktpalette: U-MOSVI Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 278+ | 0.9 EUR |
| 453+ | 0.51 EUR |
| 720+ | 0.3 EUR |
| 1045+ | 0.2 EUR |
| 1183+ | 0.18 EUR |